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10.3788/fgxb20113209.0880

Ce∶ LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能

引用
采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶ Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征.结果表明:薄膜样品从900C开始晶化,1100℃时晶化完全.薄膜表面均匀、平整、无裂纹.真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350~500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右.折射率、消光系数分别为1.82~1.94和0.005~0.05,厚度与SEM测试结果相一致.

溶胶-凝胶法、Ce∶ LSO薄膜、发光、真空紫外光谱、光学常数

32

O484.4(固体物理学)

上海市自然科学基金10ZR1411400;上海科委基础研究重点项目9JC1406500;上海市重点学科S30107;上海大学2011年度研究生创新基金A16-0110-11-017

2012-02-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

880-884

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1000-7032

22-1116/O4

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2011,32(9)

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