微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟
在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命.为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230 ～240 V和220～230 V之间；输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19％左右；输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16％,SiO2膜为88.12％,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16nm；对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95％ ～99％；Al2O3离子壁垒膜在厚度5nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率.
微通道板、离子壁垒膜、蒙特卡罗模拟、电子透过、离子阻止
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TN223(光电子技术、激光技术)
2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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