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10.3788/fgxb20113208.0793

反应前驱物中n(S)∶n(Cd)对CdS薄膜结构及发光特性的影响

引用
采用化学水浴以CdCl2·H2O、CS( NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳米晶薄膜.采用扫描电镜( SEM)、X射线衍射(XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱,研究了反应前驱物中不同的n(S)∶n(Cd)对所制备的CdS薄膜的形貌、结构和光学性能的影响.结果表明:反应前驱物中n(S)∶n(Cd)≥3:1时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的CdS薄膜;CdS薄膜均为富镉的n型半导体,薄膜中的S/Cd原子比约为0.9∶1;CdS薄膜的吸收边在450nm左右,在510~2 500 nm范围内透射率均在70%以上,在500 nm处有一较强的发光峰.

化学水浴法、CdS薄膜、n(S):n(Cd)、光致发光

32

O482.31(固体物理学)

广东省科技计划项目2008B010800004

2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

793-797

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32

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