气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

摘要：

利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生变化.对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV.

关键词：气源分子束外延、锗硅量子点、激子、光致荧光、热猝灭

所属期刊栏目：32

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10471026,10874212

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：789-792