Er离子注入的富硅SiO2MOS-LED的可见和红外电致发光特性

摘要：

通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件.研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响.发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用.在富Si量小于5％的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度.在富Si含量大于5％时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭.

关键词：掺铒纳米硅、电致发光、离子注入、MOS-LED

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金NSFC60776036;教育部新世纪人才项目NCET07-0459;“973”项目2007CB613403

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：749-754