GaN基PIN结构X射线探测器

摘要：

使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对x射线响应的多方面性能.在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1nA.对探测器的X射线的响应时间特性进行了分析和模拟,给出了很好的物理机制解释.研究了信噪比随外加偏压的变化,并得到了最佳信噪比对应的工作电压为-20 V.

关键词：GaN、X射线探测器、信噪比、时间响应

所属期刊栏目：32

分类号：O472.3;TN364.2(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10875084;江苏省自然科学基金BK2008174;苏州市应用基础研究计划SYJG0915;国家重点 基础研究发展计划G2009CR929300资助项日

在线出版日期：2011-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：720-723