利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层

摘要：

采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响.利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长温度下应变释放程度不同,进而在In0.82Ga0.18As表面形成不同类型的缓冲层.分析不同的缓冲层对外延层In0.82Ga0.18As的影响,从而优化出最佳的生长温度.

关键词：In0.82Ga0.18As、金属有机化学气相淀积、缓冲层

所属期刊栏目：32

分类号：O471.1;O472.4(半导体物理学)

资助基金：海南省教育厅高等学校科研项目基金Hjkj2010-21;国家自然科学基金重点项目50632060;国家自然科学基金面上项目50972141;海南省自然科学基金609002;海南师范大学学科建设基金0020303020317,HS-2-2011-070205

在线出版日期：2011-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：612-616