快重离子辐照对非晶态SiO2薄膜光致发光谱的影响

摘要：

用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数(剂量、电子能损值)与发光特性改变的相关性.研究发现,快重离子辐照能显著影响薄膜的发光特性,进一步分析显示,辐照导致了SiO2薄膜内O-Si-O缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的产生,且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多,而O-Si-O缺陷和缺氧缺陷的形成需要较高的电子能损值.

关键词：光致发光谱、重离子辐照、缺陷

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31;O571.33(固体物理学)

资助基金：菏泽学院科研基金XY09WL02；菏泽学院博士基金XY10BS02

在线出版日期：2011-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：608-611