SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响

摘要：

研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED,分别标记为样品A、B、C、D.样品A无钝化层,样品B为台面SiON钝化,样品C为侧面SiON钝化,样品D为台面和侧面均钝化.将4种样品进行了常温60 mA(电流密度312 A/cm2)下168 h的加速老化,并对比了老化前后的I-V和光衰等特性.结果表明:侧边的SiON钝化层可有效抑制有源区内非辐射复合缺陷的增加,从而有效降低器件老化后的漏电流和光衰.与台面上的SiON相比,侧边的SiON对钝化起到了决定性作用.

关键词：SiON、Si衬底、GaN、光衰、LED

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31;TN312.8(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61040060；教育部长江学者与创新团队发展计划IRT0730

在线出版日期：2011-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：603-607