ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响

摘要：

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5 kPa和5 kPa生长压强下,分别以sapphire (Al2O3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜.研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质.结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响.5 kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺人.

关键词：ZnMgO薄膜、衬底、生长压强

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776013,50532100;国家"863"计划2007AA032404

在线出版日期：2011-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：482-486