溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光

摘要：

利用磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO2薄膜,从而形成TiO2/p+-Si异质结.研究表明:要使TiO2/p+-Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜.此外,TiO2的薄膜厚度需要控制在合理的范围.文中对上述结果的物理机制进行了探讨.

关键词：二氧化钛、硅、异质结、电致发光

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31;TN304(固体物理学)

资助基金：教育部博士点基金007033501;浙江省自然科学基金杰出青年团队项目R4090055;国家"973"计划2007CB13403

在线出版日期：2011-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：471-475