NH3等离子体后处理Co掺杂ZnO的薄膜结构及磁学性能

摘要：

通过电化学沉积方法成功生长了Co掺杂ZnO的薄膜,但并没有实现室温下的铁磁性.通过NH3等离子体的后处理,导致有一部分N原子进入了ZnO晶格替代了一部分O格位,从而在ZnO中产生空穴.在空穴间接交换作用下,ZnCoO薄膜中产生了被束缚的磁极子,产生了室温下的铁磁性.

关键词：ZnO、铁磁性、Co掺杂

所属期刊栏目：32

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50905174;吉林省科技发展计划201101090

在线出版日期：2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：383-386