电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用

摘要：

论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electroluminescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法.硅太阳能电池的EL波长范围为850～1 200 nm.正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度.用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷.由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型.

关键词：硅太阳能电池、EL、隐性缺陷、硅CCD相机

所属期刊栏目：32

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：福建省科技厅2007年重大科技专项2007HZ005-2

在线出版日期：2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：378-382