电极布局对硅LED性能的影响

摘要：

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件.叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成,pn结结构为n阱/p+结.使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形,并对器件进行了电学特性测试.器件工作在雪崩击穿下,开启电压为8.8 V,能够发出黄色可见光;正向偏置下,器件开启电压为0.8 V.在与已经制备的楔型器件比较时发现,器件发光受串联电阻分压影响,并且有点增强发光现象,这些情况均与器件的电极布局有关.

关键词：硅LED、CMOS工艺、电极版图

所属期刊栏目：32

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60706015

在线出版日期：2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：374-377