重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO:Al(AZO)薄膜.通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究.结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率＞80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽.
AZO薄膜、Burstein-Moss效应、光电特性
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金60976036,10604041;深圳市产学研科技合作08cxy-28;深圳市科技计划项目ZYC200903250140A;深圳市南山区科技研发基金南科院2009040
2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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