采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱

摘要：

采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料.X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好.研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明.所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3 μm的范围.

关键词：InGaAsSb/AlGaAsSb、量子阱、分子束外延

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61006039,60976056;重点实验室基金项目232480

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：282-284