极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响

摘要：

通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱.计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率.同时,随着InGaN/GaN多量子阱结构阱层In组分的增多或阱层宽度的增加,极化效应带来的发光峰值波长红移效果进一步增强.

关键词：InGaN/GaN、极化效应、多量子阱、自发辐射谱

所属期刊栏目：32

分类号：O472.3;O472.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60777013;北京市自然科学基金4082023;北京交通大学优秀博士生科技创新基金141063522

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：266-271