GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征

摘要：

制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器.器件在-5V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA.响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量.C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,P型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×10"cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高.在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应.

关键词：紫外探测器、雪崩、碰撞电离

所属期刊栏目：32

分类号：TN364(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10774001,60736033,60876041,60577030

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：262-265