聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光

摘要：

测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱,研究了其EL、PL特性与微观结构的关系.结果表明:PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长;辐照39 h后,PI的预击穿场强为2.56MV/cm,低于原始PI的2.8 MV/cm;EL和PL光谱均在320,395,443,585,656,752 nm附近出现发光峰;辐照时间增长,PL强度明显增大,衰减变慢,PL峰数减少且红移,吸收边的最大吸收波长红移;场强增加,EL峰数减少且发生蓝移;由吸收边算得PI的光能隙约为2.76 eV,比由PL光谱算得的结果小0.38 eV.这些结果由光老化和电老化的综合作用所致.

关键词：聚酰亚胺、光致发光、电致发光、吸收边

所属期刊栏目：32

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：哈尔滨理工大学校青年科学基金2008XQJZ037

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：232-236