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10.3788/fgxb20113202.0115

纤锌矿GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中杂质态结合能及其压力效应

引用
考虑应变及流体静压力,在有效质量近似下,利用变分法计算了无限高GaN/Al<,x>Ga<,1-x>N应变柱形量子点中类氢杂质结合能.结果表明,在量子点尺寸较小情况下,应变增加了杂质态结合能;而在量子点尺寸较大情况下,应变降低了杂质态结合能.随着Al摩尔分数的增加,杂质态结合能减小.杂质态结合能随着流体静压力的增加而增大,在量子点尺寸较小的情况下,流体静压力对杂质态结合能的影响更明显.

量子点、类氢杂质、应变、流体静压力

32

O471.3(半导体物理学)

国家自然科学基金10964006;教育部科学技术研究重点项目208025

2011-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

115-121

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1000-7032

22-1116/O4

32

2011,32(2)

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