多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

摘要：

通过对多层GaSh量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞.这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞.PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果.

关键词：LP-MOCVD、GaSb量子点、PL谱、关联效应

所属期刊栏目：31

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：中科院知识创新工程资助项目

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：859-863