Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100),(111)衬底上成功生长了InP纳米线.利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100),(111)衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同.利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向<111>,并且具有层状孪晶结构.与Inp体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移'频移随激发光功率减弱而减小.
InP、纳米线、金属有机化学气相沉积
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O472.3(半导体物理学)
国家自然科学基金50972141,50632060
2011-01-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
767-772