Si基CeO2薄膜的发光特性

摘要：

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰.结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由02p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 mn左右的发光峰则来自于SiO2:薄膜的缺陷发光.样品选择900～1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火.研究结果显示:在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大.

关键词：CeO2、光致发光、能量传递

所属期刊栏目：31

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60977017

在线出版日期：2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：762-766