In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

摘要：

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化.利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数.结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较.文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释.

关键词：In0.2Ga0.8As/GaAs、单量子阱、PL谱、温度、荧光峰半峰全宽

所属期刊栏目：31

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：天津市科技支撑计划重点项目基金07ZCKCGX03600;南开大学新教师科研启动基金J02034;南开大学物理学基地教学基金J0730315;南开大学本科生创新科研百项工程基金BX6-168;中央高校基本科研业务费专项基金65010981/65010821

在线出版日期：2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：619-623