透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能

摘要：

以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO).实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×1019cm-3,载流子迁移率达到50. 21 cm2·V-1·s-1,电导率为3.143×10-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76 eV.采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30 230 cd/m2最大电流效率为5.1 cd/A.结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料.

关键词：透明导电氧化物、掺杂、In2O3、Bi2O3、有机电致发光器件

所属期刊栏目：31

分类号：O484.4;TN383+.1(固体物理学)

资助基金：吉林省科技发展计划重点项日20090346

在线出版日期：2010-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：605-608