Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化

摘要：

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaN MQW LED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化.研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小.(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化.

关键词：金属基板、Si衬底、GaN、薄膜、应力

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：教育部长江学者与创新团队发展计划IRT0730

在线出版日期：2010-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：531-537