Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿

摘要：

采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运.在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性.磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的:对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象.

关键词：稀磁半导体、自旋极化、共振隧穿

所属期刊栏目：31

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10847005,10704010;内蒙古自然科学基金20080404MS0101;国家大学生创新性实验计划081012612

在线出版日期：2010-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：515-520