溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6 Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5 sccm时,(002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,(002)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小,光致发光紫外峰强度最强.
ZnO薄膜、射频反应磁控溅射、溅射压强、氩氧比、光致发光
31
O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金50588201,50872116;国家重大基础研究项目"973"2007CB616906;国家高科技项目"863"2007AA03Z203;高等学校博士点专项科研基金sRFDP200806130023;西南交通大学科研基金2008815
2010-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
503-508