氧氩比对钴掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响

摘要：

以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜.研究了氧氩比对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿c轴择优生长;当氧氩比为2:8时,薄膜具有较好的纳米晶粒和表面结构,其霍尔迁移率为2.188×104cm2/V·s,最小电阻率为1.326×104Ω·cm,其薄膜透光率最高,且在紫外区有一个相对较强的发射峰.

关键词：Co-ZnO薄膜、电阻率、霍尔迁移率、透射光谱、光致发光谱

所属期刊栏目：31

分类号：O472;O482.31(半导体物理学)

资助基金：湖南省自然科学基金05JJ2034;中南大学科学基金0601059

在线出版日期：2010-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：498-502