8-羟基喹啉锂的光电性能和取代基效应的密度泛函理论

摘要：

采用密度泛函理论(DFT)较为系统地研究了给、吸电子取代基对8-羟基喹啉锂(Liq)光电性能的影响.研究结果表明:不同取代基与母体形成不同的共轭,取代基-CN、-OCH3很好地参与了整个π体系共轭,对体系性质影响较大;吸电子基-CF3、-CN、-Cl在5-位取代都使Liq的最高占据轨道(HOMO)、最低空轨道(LUMO)能级降低;给电子基-CH3、CH3 CH2 CH2、-OCH3在5-位取代都使Liq的LUMO、HOMO升高,带隙减小,给电性越强,影响越显著;-CN在5-位取代,显著增加了Liq的电子亲和势,降低了电子重组能,使电子更易于注入和传输.与Liq及其它衍生物相比,5-CN-Liq是一种更好的电子注入和传输材料.

关键词：密度泛函理论、8-羟基喹啉锂、取代基效应、光电性能

所属期刊栏目：31

分类号：TN383.1;O641.121(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金20671068,60976018;教育部科学技术重点项目207015;山西省自然科学基金2008011008

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：416-420