Si衬底GaN基蓝光LED老化性能

摘要：

报道了芯片尺寸为500 μm ×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1 000 h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间.

关键词：硅衬底、GaN、蓝光 LED、老化、光衰

所属期刊栏目：31

分类号：O482.31;TN383.1(固体物理学)

资助基金：国家"863"计划2003AA302160,2005AA311010

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：364-368