低温CVD法在玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列
采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20 nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征.结果表明:源分解温度1 350 ℃,衬底温度450~500 ℃,氩气流量为35 sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO(002)衍射峰.表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量.
化学气相沉积、ZnO纳米线阵列、低温生长
31
O484.1(固体物理学)
国家自然科学基金50802012
2010-05-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
258-260