射频溅射功率对AZO薄膜结构及光电特性和热稳定性的影响
采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al (AZO)透明导电薄膜.用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究.研究结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构,均呈c轴择优取向;(002)衍射峰强和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;随溅射功率的提高,AZO薄膜的透射率有所下降,但在可见光(380～780 nm)范围内平均透射率仍＞80%;薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小;功率为160～200 W时,薄膜的热稳定性最好,升温前后方块电阻变化率为13%.
磁控溅射、AZO薄膜、射频功率、热稳定性
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O472.3;O484.4(半导体物理学)
国家自然科学基金10674133,10604041;广东省自然科学基金8151806001000009;深圳市产学研科技合作Y2005002;深圳市科技计划200604,200706;深圳市南山区科技研发基金南科院2008012
2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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