额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨.测试结果表明:在0.2 Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率(ρ)值越低.在纯氩气状态下溅射时,制得的薄膜具有最大的厚度值,约为2.06 μm,并具有最强的XRD峰,ρ同时也达到最小值,阻值为2.66×10-4 Ω·cm.研究表明:结晶性能的提高对薄膜ρ的降低起到了关键作用,而厚度的增加也会使电阻率下降.

关键词：射频磁控溅射、ZnO:Al(AZO)薄膜、O2/Ar比、导电性能

所属期刊栏目：31

分类号：O472.4;O484.42(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50802012

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：227-229