具有Au/MoO3空穴注入层的有机发光二极管

摘要：

研究了单层MoO3(5 nm)和复合Au(4 nm)/MoO3(5 nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).与单层MoO3 HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3 HIL的器件具有较大的电流和亮度.这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率.

关键词：有机发光二极管、空穴注入层、Au/MoO3

所属期刊栏目：31

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：广东省科技计划2007A010500011

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：157-161