具有Au/MoO3空穴注入层的有机发光二极管
研究了单层MoO3(5 nm)和复合Au(4 nm)/MoO3(5 nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).与单层MoO3 HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3 HIL的器件具有较大的电流和亮度.这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率.
有机发光二极管、空穴注入层、Au/MoO3
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TN383.1(半导体技术)
广东省科技计划2007A010500011
2010-05-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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