In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈.在p-Al_xGa_(1-x)N材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大.通过在p-Al_xGa_(1-x)N材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低Al_xGa_(1-x)N材料中受主态的激活能.为研究不同In气氛下生长的p-Al_xGa_(1-x)N材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品.X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1 100 ℃下生长Al_xGa_(1-x)N外延层时,In的引入不会影响晶体组份.利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-Al_xGa_(1-x)N材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高.采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-Al_xGa_(1-x)N层后,LED器件性能明显提高.
p-Al_xGa_(1-x)N、In气氛、激活能、深紫外LED
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O472.4(半导体物理学)
国家自然科学基金10774001, 60736033, 60776041, 60876041;国家重点基础研究发展计划2006CB604908,2006CB921607;国家"973"计划TG2007CB307004
2010-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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