磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率

摘要：

氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备.但是这种制备方法存在缺欠.采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜.研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响.发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8 Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8 Pa时沉积速率迅速下降.讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因.

关键词：氧化硅、薄膜、磁控溅射

所属期刊栏目：30

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：吉林省科技发展计划20080170

在线出版日期：2010-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：888-891