SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善
用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器.利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究.实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si 之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态.
ZnO薄膜、Si(111)衬底、SiC缓冲层、光电性能
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O472;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金50532070
2010-03-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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