Si掺杂AlN的电子结构和光吸收

摘要：

基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质.结果表明:杂质能级位于导带底附近,与Al 3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott相变;Si掺杂后在2.02 eV附近出现新的吸收峰,从而改善系统在可见光区的吸收特性.

关键词：AlN、Si掺杂、电子结构、光吸收

所属期刊栏目：30

分类号：O472.2;O481.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10775088;山东省理论物理重点学科资助项目

在线出版日期：2010-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：802-806