Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质

摘要：

观测了不同Mg含量的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱.结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素.实验发现:同一样品在N_2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移.结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(V_NH)与浅受主(Mg_(Ga))之间的跃迁,并受到深施主(Mg_(Ga)V_N)与浅受主(Mg_(Ga))自补偿效应的影响.实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260 meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,V_NH与Mg_(Ga)之间跃迁方式的改变引起的现象.

关键词：超晶格、缺陷发光、紫外峰、极化效应

所属期刊栏目：30

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776042, 60477011;国家高技术研究发展计划2007AA03Z403;国家重点基础研究发展计划2006CB921607

在线出版日期：2010-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：792-796