缓冲层生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜结构及电学性能的影响

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_(0.82)Ga_(0.18)As材料.研究缓冲层的生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜的结构及电学性能的影响.固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变.用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76.测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变.通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜的结构及电学性能.最佳的缓冲层生长温度为450 ℃.

关键词：铟镓砷、金属有机化学气相沉积、缓冲层、生长温度

所属期刊栏目：30

分类号：O471.1;O472.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点50632060;海南师范大学博士基金002030204

在线出版日期：2010-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：787-791