定向ZnO纳米钉阵列的制备及生长机理

摘要：

在550 ℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10 nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构.X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质量,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射图(SAED)谱的结果表明所得到的单根纳米钉为沿(002)生长的单晶结构;同时,对一维纳米钉阵列的生长机理进行了分析.结果表明:由于Si与ZnO之间大的晶格失配度,首先在Si表面沉积一层富Zn的ZnOx薄膜缓冲层,然后通过VLS机理中的底端生长模式生长成为纳米钉阵列结构.

关键词：纳米钉、ZnO纳米阵列、化学气相沉积

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点50435030;教育部全国百篇优秀博士论文作者基金200739

在线出版日期：2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：717-721