稀磁半导体材料居里温度的极值点

摘要：

以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs:TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增.

关键词：稀磁半导体、居里温度、掺杂浓度、反铁磁性交换作用

所属期刊栏目：30

分类号：O472.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10862002;内蒙古工业大学基金X200930

在线出版日期：2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：702-705