InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

摘要：

利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品.在5 K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱, 研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间.它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns, 正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns, 负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps.

关键词：量子点、激子、自旋翻转时间

所属期刊栏目：30

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60676054

在线出版日期：2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：668-672