InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

摘要：

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响.实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性.通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料.

关键词：分子束外延、锑化物、表面形貌、X射线双晶衍射

所属期刊栏目：30

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：重点实验室基金A3620060128

在线出版日期：2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：630-633