不同主体材料对红色磷光OLED器件性能的影响
制作了结构为ITO/2T-NATA (20 nm)/NPB(60 nm)/Zn(BTZ)2:Ir(DBQ)2(acac) (80 nm)/Alq3(70 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的红光器件,其中2T-NATA是4,4',4"-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine,NPB是N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, Zn(BTZ)2是Bis-(2-(2-hydroxyphenyl) benzothiazole)zinc,Ir(DBQ)2(acac)是iridium complex,Alq3 是tris(8-hydroxyquinolato)aluminum.基于Ir(DBQ)2(acac) 掺杂的Zn(BTZ)2体系的器件给出最高电致发光(EL)性能.结果显示:10%Ir(DBQ)2-(acac) 掺杂Zn(BTZ)2器件的亮度和效率分别为25 000 cd/m2和12 cd/A,其相应的EL峰位于620 nm,色坐标(x=0.63,y=0.37).由于未使用激子阻挡层,所以,比通常磷光器件的制作工艺简单并且操作过程容易控制.
OLED、Zn(BTZ)2、掺杂、发光效率
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TN837.3;TN383.1(无线电设备、电信设备)
2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
585-589
