离子注入诱导的具有两个不同发射波长的混合双量子阱结构

摘要：

叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程度进行了研究.在特定条件下快速热退火处理后,光致发光谱显示,在离子注入剂量低于7×1011/cm2情况下,两个阱的谱峰能保持较好的分离,注入剂量从1011 /cm2增大到1012/cm2的过程中,两个阱的带隙蓝移值都似乎存在一个极大值,并且在同样的条件下,上阱(发射波长为1.52 μm)的带隙蓝移值较下阱(发射波长为1.59 μm)大些.当离子注入剂量达到1012/cm2时,上阱的谱峰近乎消失,双阱光致发光谱出现了一个谱峰.用断面透射电子显微术对原生长样品与带隙蓝移具有极大值的退火样品进行微结构比较,结果显示,对比原生长样品,退火样品的晶格原子基本得到修复,但阱与垒间的界面显得模糊,这说明离子注入导致两阱完全混合.

关键词：磷离子注入、双量子阱、量子阱混合

所属期刊栏目：30

分类号：O472.3;TN304.23(半导体物理学)

资助基金：湖北省优秀中青年科技创新团队T200805资助项目 Project was supported by the Foundation of Young and Middle-aged Scientific and Technological Innovation Team of Hubei Province of ChinaT200805

在线出版日期：2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：575-579