激光辐照和高温氧化硅锗合金的低维结构和发光特性
采用强激光辐照硅锗合金,然后高温氧化的方法,在样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状纳米结构的存在.用荧光光谱仪测量其光致荧光谱,对于激光辐照(无高温氧化)的样品,在峰值705 nm处出现较强的光致发光(PL).高温氧化后,样品在606 nm处出现一尖锐的PL光谱.利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生.
高温氧化、激光辐照、硅锗合金、低维结构、PL光谱
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
安徽省教育厅自然科学基金KJ2008B269;皖西学院自然科学青年项目WXZQ0706
2009-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
541-544