压力下GaN/Ga1-xAlxN量子点中杂质态的界面效应

摘要：

考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系.结果表明,结合能随压力的增大呈线性增加的趋势,有效质量位置的依赖性以及导带弯曲对结合能有不容忽视的影响.

关键词：量子点、结合能、电子面密度、压力

所属期刊栏目：30

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10564003;教育部科学技术研究重点项目208025;内蒙古师范大学科研基金QN06050

在线出版日期：2009-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：529-534