瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性

摘要：

封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化.研究表明, 光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降.当IF从50 mA一直增大到450 mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关.当IF大于500 mA或800 mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关.此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化.

关键词：大功率、InGaN基蓝光LED、蓝移、红移

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分类号：O482.31;TN312.8(固体物理学)

资助基金：国务院侨办科研基金06QZR02;福建省泉州市科技计划重点项目2008G7

在线出版日期：2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：379-384